型号：M5111-2/VM  

厂商：中国电子科技集团公司第四十八研究所  

设备参数：  

（1）该设备为单管式结构，炉膛有效内径Φ180mm（适用于4英寸硅片）。  

（2）反应气体：氧气，适用于干氧、湿氧氧化。  

（3）保护气体：氮气  

（4）恒温区长度及精度：  

≤±1℃/400mm(801—1100℃)、  

≤±1.5℃/400mm(400—800℃)。  

三点控温是SPIKE测量点都使用双热电偶，在一只热电偶断路时另一只能继续完成工艺，  

（5）程序控制单元，气体/压力控制精度±0.5%。  

（5）样品尺寸及片数，一次最多可以装载20片4英寸。  

主要用途：  

该设备主要用于MEMS和半导体器件制造中的氧化/扩散、退火吸杂和合金工艺，同时还适用于对其它材料的特殊温度处理。热氧化法是在高温下（900℃-1100℃）使硅片表面形成二氧化硅膜的方法，热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜，对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。