型号：ME-3A  

厂商：中国科学院微电子所（北京） 

设备参数：  

刻蚀材料：氧化硅、氮化硅及光刻胶灰化  

光刻胶做掩模刻蚀选择比：3:1  

不均匀性：<±5%（4英寸）  

RF功率：150W  

射频源：13.56MHz  

真空度:10-2Pa  

晶片尺寸：最大6英寸  

反应气体：O2、Ar、CHF3、SF6

主要用途：  

利用能与被刻蚀材料起化学反应的气体，通过辉光放电使之形成等离子体，对基底表面未被掩蔽部分进行刻蚀。主要用于刻蚀氧化硅、氮化硅材料等，形成微纳米结构。