型号：PD-220  

厂商：日本Samco公司  

设备参数：  

成膜范围直径大于200mm  

基板温度低至300度  

射频源：13.56MHZ  

气路：N2O,SiH4,NH3,N2  

清洗：CF4/O2混合气体  

样品尺寸：8英寸  

真空度：＜3×10-2Pa  

温度范围：＜300℃  

淀积材料：SiOx，SiNx，多晶硅 

主要用途：  

该设备用于沉积SiOx，SiNx，多晶硅薄膜，所制薄膜可用于各种微器件电极钝化层或传感器与执行器的结构层。